參數(shù)指標：
純度：>99%，
總含氧量：<0.8%
N含量：33.5%
金屬雜質(zhì)含量：200ppm
D50: 50nm
比表面積：58.94m2/g
保存期: 干燥環(huán)境下保存二年

性能：氮化鋁粉體純度高，分布均勻、良好的注射成形性能；具有較高的高溫強度及較高的熱導系數(shù)，具有良好的絕緣性、耐高溫、耐腐蝕等特性，較低的介電常數(shù)及介電損耗，熱膨脹接近于硅，具有較好的機械加工性等。是一種具有廣泛應(yīng)用前途的高導熱陶瓷材料。是半導體、功率�？�、電子封裝、大規(guī)模集成電路基片，導電蒸發(fā)舟等電子材料領(lǐng)域的重要材料�？梢杂闷渲谱髹釄搴蜐仓�模具等結(jié)構(gòu)材料。

主要用途：
1）用作大功率半導體器件的絕緣基片、大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的散熱基片、鋰電池內(nèi)部的隔板材料、切削工具、封裝材料、高溫潤滑劑、熱散板及粘結(jié)劑等。
2)制造集成電路基板、電子器件、光學器件、散熱器、高溫坩鍋；制備金屬基及高分子基復合材料，特別是在高溫密封膠粘劑和電子封裝材料中有極好的應(yīng)用前景。
3）導熱填料：如金屬、陶瓷及石墨基復合材料，橡膠、塑膠、涂料、膠粘劑及其它高分子基復合材料。